[发明专利]基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件无效
| 申请号： | 200510026606.3 | 申请日： | 2005-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1688035A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 周勇;丁文;曹莹;陈吉安;周志敏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R33/09;G11B5/39;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种属于传感器技术领域的基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件，本发明由带SiO2层的硅衬底、引脚、曲折状三明治结构软磁多层膜和偏置永磁体组成，引脚从多层膜两端的铜层引出，并设置在衬底上，整个曲折状三明治结构软磁多层膜位于带SiO2层的硅衬底上。偏置永磁体用微细加工技术制备，并用环氧胶水粘贴于磁敏器件的背面。使其采用曲折状三明治结构多层膜可大大提高多层膜的巨磁阻抗效应；MEMS技术可以实现其制备工艺与IC工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微机 系统 磁阻 效应 器件 | ||
【主权项】：
1、一种基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件，其特征在于，由衬底(3)、软磁多层膜巨磁阻抗材料(6)、偏置永磁体(5)、引脚(4)组成，引脚(4)从磁敏器件两端的铜层(2)引出，并设置在衬底平面(3)上，曲折状三明治结构软磁多层膜(6)位于带SiO2层的衬底(3)上，偏置永磁体(5)位于硅衬底下面。
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