[发明专利]单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200510027350.8 申请日: 2005-06-30
公开(公告)号: CN1730377A 公开(公告)日: 2006-02-08
发明(设计)人: 程先华;白涛 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;C10M105/76;C10N50/08
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 毛翠莹
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法,将表面经过处理的单晶硅片作为基底材料,在其表面采用自组装方法制备巯基硅烷,然后用溶胶-凝胶法在其表面制备含有稀土元素的纳米薄膜。首先将单晶硅片放入王水中进行预处理,清洗后置入羟基化溶液在室温下进行处理,然后再浸入巯基硅烷溶液中,静置6~8小时后取出,冲洗后用氮气吹干置于配制好的溶胶溶液中静置,提拉,然后干燥,或者重复上述操作制备多层薄膜;把覆有复合薄膜的单晶硅片放入马弗炉保温,缓慢升温至500℃,在炉内自然冷却至室温即可得到稀土纳米薄膜。本发明工艺方法简单,可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1,具有十分明显的减摩作用。
搜索关键词: 单晶硅 表面 制备 巯基 硅烷 稀土 润滑 复合 薄膜 方法
【主权项】:
1、一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤:1)将单晶硅片浸泡在王水中加热5~6小时,在室温中自然冷却,然后取出用去离子水冲洗,干燥后浸于体积比为H2SO4∶H2O2=70∶30的溶液中,于室温下处理1小时,用去离子水超声清洗后放在防尘装置内在烘箱中干燥,再将处理后的单晶硅片浸入巯基硅烷浓度为0.1~1.0mmol/L的苯溶液中,静置6~8小时取出,冲洗后用氮气吹干,得到表面组装有巯基硅烷薄膜的单晶硅片;2)配制溶胶溶液∶溶胶溶液各组分摩尔比为:钛酸盐1,乙醇4~5,二乙醇胺1~1.2,乙醇水溶液1~2,稀土化合物0.1~0.3,二甲基甲酰胺0.01~0.02;将钛酸盐溶于乙醇,再加入二乙醇胺作为螯合剂,室温下用磁力搅拌器搅拌混合均匀,再采用滴加方式加入乙醇水溶液,水解温度取20℃,加入稀土化合物搅拌1~2小时,最后加入二甲基甲酰胺,得到含有稀土元素的溶胶溶液;其中,乙醇水溶液由体积比为1∶9的水和无水乙醇配制而成;3)将表面组装有巯基硅烷薄膜的单晶硅片浸入配制好的溶胶溶液中,静置五分钟后,以6cm/分钟的速度向上提拉单晶硅片,然后在干燥器中静置10分钟,放入温度为120℃~150℃的烘箱中干燥1~2小时,使单晶硅片表面的溶胶干燥,或者重复上述操作制备多层薄膜;4)把步骤3得到的覆有薄膜的单晶硅片放入马弗炉,在120℃保温30分钟,以3℃/分钟的速度缓慢升温至500℃,保温1小时在炉内自然冷却至室温,即得到巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜。
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