[发明专利]反应离子深刻蚀加工微结构的侧壁钝化方法无效
| 申请号： | 200510027569.8 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1718534A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨春生;张丛春;丁桂甫;黄龙旺 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种属于微细加工技术领域的反应离子深刻蚀加工微结构的侧壁钝化方法，本发明采用模压或商品有机玻璃为被刻蚀材料，用镍掩膜电镀的方法实现图形化，以氧气为主刻蚀气体，采用侧壁钝化技术，即往主刻蚀气体中加入40％～50％的CHF3在侧壁形成钝化层，并调整刻蚀气体成分、气压和功率以控制侧壁刻蚀速率，达到侧壁钝化而图形底部被垂直刻蚀的效果。本发明利用反应离子深刻蚀技术对高分子聚合物PMMA进行深刻蚀，侧壁钝化技术控制侧壁钻蚀现象，直接得到高深宽比塑料三维微结构，实现一种成本低、适于MEMS的高深宽比微加工方法。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 离子 深刻 加工 微结构 侧壁 钝化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反应离子深刻蚀加工微结构的侧壁钝化方法，其特征在于，采用模压或商品有机玻璃为被刻蚀材料，用镍掩膜电镀的方法实现图形化，以氧气为主刻蚀气体，采用侧壁钝化技术，即往主刻蚀气体中加入40％～50％的CHF3在侧壁形成钝化层，并调整刻蚀气体成分、气压和功率以控制侧壁刻蚀速率，达到侧壁钝化而图形底部被垂直刻蚀的效果。
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