[发明专利]一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法无效
申请号: | 200510029225.0 | 申请日: | 2005-08-31 |
公开(公告)号: | CN1734277A | 公开(公告)日: | 2006-02-15 |
发明(设计)人: | 孙佳胤;王曦;陈静;张恩霞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R29/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法,更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法,属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统,通过比对腐蚀顶层硅前后电容-电压曲线的方法,表征薄膜以及超薄SOI(Silicon-On-Insulator:绝缘体上的硅)材料的埋层氧化物电荷密度。该表征方法针对顶层硅厚度1μm以内的SOI圆片,具有简便易行、测试过程迅速等优点,可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 绝缘体 氧化物 电荷 密度 快速 表征 方法 | ||
【主权项】:
1、一种绝缘体上硅材料的埋层氧化物电荷密度表征方法,其特征在于具体测试步骤是:1)用汞探针C-V测试系统测量绝缘体上硅材料的C-V曲线;2)腐蚀除去绝缘体上硅材料的顶层硅;3)经步骤(2)腐蚀后的材料再次放入步骤(1)所用的C-V测试系统中测出C-V曲线;4)在两条C-V曲线上,利用公式 和QS1=-COX·VFB,SIS计算出埋层氧化物的电荷密度,式中VFBMOS为MOS结构的平带电压,QS2埋层氧化物与衬底间的电荷密度;COX为埋层氧化物电容;QS1埋层氧化物与顶层硅间的电荷密度;VFBSIS为SIS结构的平带电压。
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