[发明专利]物理气相沉积法直接生长成分单一的金属纳米线有效
| 申请号： | 200510033669.1 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1696330A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;周军;邓少芝;陈军;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14;C23C14/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以物理气相沉积法直接生长成分单一的金属纳米线的技术，通过本方法直接生长的金属钼、钨纳米线，经过用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等进行分析，结果表明所获得的纳米材料成份单一、高度可控、垂直于衬底和有序。该方法还可以合成其它几种金属纳米线，如锝、钉、铱、铼和锇等，其生产工艺简单，工艺参数易于控制，并且成本低和生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 直接 生长 成分 单一 金属 纳米 | ||
【主权项】：
1、一种制备金属钠米线的方法，包括以下步骤：(A)在真空条件下、在惰性和还原气体的混合气氛中加热金属源和衬底至高于该金属相应氧化物发生歧化分解反应的温度，以使金属源发生蒸发；(B)在上述反应温度下、在惰性和还原气体的混合或只有它们之中一种气体的气氛中保温5～240分钟，相关产物在衬底上发生沉积直接生长单质金属纳米线；(C)在惰性和还原气体的混合气氛中，将金属源和衬底快速降温至室温。
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