[发明专利]射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法无效
| 申请号： | 200510043960.7 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1718841A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 韩圣浩;吕茂水;叶丽娜;庞智勇;修显武 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李宝成 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法，属于电子材料技术领域。首先将纯度均为99.99WT％的ZnO和ZrO2粉末按重量比99∶1－90∶10充分混合，压制成型后，在空气中1250℃－1350℃下烧制成ZnO∶Zr靶材；然后将靶材和清洗过的基片送入射频磁控溅射仪，溅射制备ZnO∶Zr透明导电薄膜，溅射仪基础真空为5.0×10－4Pa，溅射气体为氩气。本发明的方法设备简单便宜、易于大面积成膜；与溶胶—凝胶法相比，薄膜的光电性能明显改善，薄膜的电阻率达到2.07×10－3Ωcm，可见光透过率达到92％。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 磁控溅射 法制 zno zr 透明 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜的方法，步骤如下：(1)将纯度均为99.99WT％的ZnO和ZrO2粉末按重量比99∶1-90∶10充分混合，在55-65MPa的压强下压制成型后，送入高温烧结炉，在空气中1250℃-1350℃下烧结300-400分钟，烧制成ZnO:Zr靶材；(2)将步骤(1)的靶材和清洗过的基片送入射频磁控溅射仪，溅射制备ZnO:Zr透明导电薄膜，溅射仪基础真空为5.0×10-4Pa，溅射气体为氩气，气压0.6-3.0Pa，溅射功率为50-200W，溅射时间为4-20分钟，膜厚为100-600nm。
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