[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510053039.0 | 申请日： | 2005-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1716578A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 西堀弘;筱原利彰;前田春美 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供在确保与使用含铅的场合有同等的对热循环的耐久性的同时，实现抑制热电阻及耐热性，抑制制造成本上升的半导体装置及其制造方法。铜材构成散热器1的主面与绝缘基板2连接。绝缘基板2的背面图案5通过基板下焊锡层7与散热器1的主面连接，由此，绝缘基板2固定在散热器1。在构成绝缘基板2的陶瓷基体材料3的边缘部外部的散热器1的主面内，在陶瓷基体材料3的四方形的角部外部设置内壁向内侧倾斜的倾斜槽15。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：搭载半导体元件的矩形状的绝缘基板；其主面与上述绝缘基板连接的散热器；将上述散热器作为底面的树脂盒；填充到上述树脂盒内的硬化性树脂，上述散热器的上述主面与上述绝缘基板的连接是由，构成上述绝缘基板的陶瓷基体材料和上述散热器的上述主面之间形成的无铅焊锡层实现的，上述散热器，具有至少设置在与上述陶瓷基体材料的四方形的角部外部对应的上述主面内的，沿上述角部扩展且其内壁向内侧倾斜的倾斜槽。
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