[发明专利]具隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种具有隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管，其中一N型金属氧化物半导体场效晶体管包括有一置于一P型衬底内的第一N型嵌入层与一P型外延层；一P型场效晶体管包括有一置于该P型衬底内的一第二N型嵌入层与该P型外延层。该第一、第二N型嵌入层与该P型外延层提供了场效晶体管间的隔离。此外，多个置于该P型外延层中的分离P型区域更提供进一步的隔离效果；一第一间隙存在于一第一厚场氧化层与一第一P型区域间，用以提高该N型场效晶体管的击穿电压；一第二间隙则存在于一第二厚场氧化层与一第二N型阱间，用以提高该P型场效晶体管的击穿电压。

主权项

1、一种N型金属氧化物半导体场效晶体管，包括有：一P型衬底；一第一N型嵌入层与一P型外延层，于该P型衬底内形成；一具有N型导电离子的第一N型扩散区，于该第一N型嵌入层内形成一第一N型阱；一具有P型导电离子的第一P型扩散区，于该第一N型阱内形成一第一P型区域；一具有N+型导电离子的第一漏极扩散区，于该第一N型扩散区内形成一第一漏极区域；一具有N+型导电离子的第一源极扩散区形成一第一源极区域，其中一第一沟道于该第一源极区域与该第一漏极区域间形成；一具有P+型导电离子的第一接点扩散区形成一第一接点区域，其中该第一P型扩散区将该第一源极区域与该第一接点区域包围起来；一具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区，在该P型外延层内形成多个分离的P型区域以提供隔离特性；一第一薄栅氧化层与一第一厚场氧化层，形成于该P型衬底上；一第一栅极，置放于该第一薄栅氧化层与该第一厚场氧化层之上，用以控制该第一沟道内的电流量；一硅氧化绝缘层，覆盖于该第一栅极与该第一厚场氧化层上；一第一漏极金属接点，其具有一与该第一漏极扩散区相连接的第一金属电极；一第一源极金属接点，其具有一连接至该第一源极扩散区与该第一接点扩散区的第二金属电极；以及一第一间隙，存在于该第一厚场氧化层与该第一P型区域间，借以提高该N型金属氧化物半导体场效晶体管的击穿电压。