[发明专利]多阈值电压互补金属氧化物半导体触发器及其电路及方法有效
| 申请号： | 200510068440.1 | 申请日： | 2005-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1694356A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 元孝植;郑光钰;金颍焕;李奉炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356;H03K3/012 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭定辉;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器、包括MTCMOS触发器的电路、和形成MTCMOS触发器的方法。所述MTCMOS触发器在休眠模式期间切断泄漏电流路径以保持输出数据信号。所述MTCMOS触发器通常还使用数据反馈单元来保持输出数据信号。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 电压 互补 金属 氧化物 半导体 触发器 及其 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多阈值电压互补金属氧化物半导体(MTCMOS)触发器，包括：第一级，响应于输入数据信号、时钟信号和在休眠模式中激活的休眠信号，而将内部节点充电或放电；以及第二级，响应于在内部节点存在的信号、时钟信号、以及时钟信号和休眠信号的组合，来将输出节点充电或放电，并且存储通过将输出节点充电或放电而生成的输出数据信号；其中，所述第一级或第二级包括泄漏切断晶体管，它响应于被激活的休眠信号而被截止，由此在休眠模式期间切断泄漏电流路径。
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