[发明专利]具有增强的屏蔽结构的金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 200510070266.4 | 申请日： | 2005-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1738057A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 穆哈迈德·A.·施彼伯;徐舒明 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种MOS器件包括在衬底上形成的半导体层，所述衬底定义了水平面和垂直于水平面的垂直方向。在所述半导体层上表面附近的半导体层中形成第一和第二源/漏区，所述第一和第二源/漏区彼此被隔开。在半导体层的上表面附近形成栅极，并且至少部分位于第一和第二源/漏区之间。在MOS器件中形成第一介电区，所述第一介电区定义了从半导体层的上表面向下延伸第一距离，进入半导体层中的沟槽，所述第一介电区在第一和第二源/漏区之间形成。MOS器件进一步包括主要在第一介电区中形成的屏蔽结构，至少一部分所述屏蔽结构与第一介电区的底壁和/或第一介电区的一个或多个侧壁相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 屏蔽 结构 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体器件，包括：在衬底上形成的半导体层，所述衬底定义了水平面和垂直于水平面的垂直方向；在所述半导体层上表面附近的半导体层中形成的第一和第二源/漏区，所述第一和第二源/漏区彼此被隔开；在所述半导体层的上表面附近形成的、并且至少部分位于第一和第二源/漏区之间的栅极；定义了从半导体层的上表面向下延伸第一距离而进入半导体层中的沟槽的第一介电区，所述第一介电区在第一和第二源/漏区之间形成；以及基本上在第一介电区中形成的屏蔽结构，至少一部分所述屏蔽结构与第一介电区的底壁以及第一介电区的至少一个侧壁中的至少一个相邻。
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