[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法及磁存储器件有效
申请号: | 200510070269.8 | 申请日: | 2005-05-13 |
公开(公告)号: | CN1707624A | 公开(公告)日: | 2005-12-14 |
发明(设计)人: | 向井良一 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;G11B5/73;G11B5/84;G11B5/851 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种包括具有柱状颗粒结构的记录层的垂直磁记录介质,所述柱状颗粒结构具有磁性颗粒的适当的直径分布和均匀排列。所述垂直磁记录介质包括衬底和依次堆叠在衬底上的软磁底层、籽层、底层、记录层、保护膜及润滑层。所述底层包括由Ru或Ru合金形成的粒状晶体和使粒状晶体彼此分开,以至于隔离每个粒状晶体的间隙。在所述底层下面可以提供由Ru或Ru合金形成的连续薄膜。 | ||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 制造 方法 磁存储器 | ||
【主权项】:
1、一种垂直磁记录介质,所述介质包含:衬底;衬底上的软磁底层;软磁底层上由无定形材料形成的籽层;籽层上由Ru或Ru合金形成的底层,所述底层包括多个粒状晶体,每个在垂直于衬底表面的方向上生长,以及多个彼此隔离粒状晶体的间隙;以及底层上的记录层,所述记录层包括多个磁性颗粒,每个具有基本上垂直于衬底表面的易磁化轴,以及多个彼此隔离磁性颗粒的非磁性不混溶相。
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