[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法及磁存储器件有效

专利信息
申请号: 200510070269.8 申请日: 2005-05-13
公开(公告)号: CN1707624A 公开(公告)日: 2005-12-14
发明(设计)人: 向井良一 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/667 分类号: G11B5/667;G11B5/73;G11B5/84;G11B5/851
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种包括具有柱状颗粒结构的记录层的垂直磁记录介质,所述柱状颗粒结构具有磁性颗粒的适当的直径分布和均匀排列。所述垂直磁记录介质包括衬底和依次堆叠在衬底上的软磁底层、籽层、底层、记录层、保护膜及润滑层。所述底层包括由Ru或Ru合金形成的粒状晶体和使粒状晶体彼此分开,以至于隔离每个粒状晶体的间隙。在所述底层下面可以提供由Ru或Ru合金形成的连续薄膜。
搜索关键词: 垂直 记录 介质 制造 方法 磁存储器
【主权项】:
1、一种垂直磁记录介质,所述介质包含:衬底;衬底上的软磁底层;软磁底层上由无定形材料形成的籽层;籽层上由Ru或Ru合金形成的底层,所述底层包括多个粒状晶体,每个在垂直于衬底表面的方向上生长,以及多个彼此隔离粒状晶体的间隙;以及底层上的记录层,所述记录层包括多个磁性颗粒,每个具有基本上垂直于衬底表面的易磁化轴,以及多个彼此隔离磁性颗粒的非磁性不混溶相。
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