[发明专利]一种微纳结构的惯性传感器本体及其制作方法无效
申请号: | 200510071148.5 | 申请日: | 2005-05-20 |
公开(公告)号: | CN1865124A | 公开(公告)日: | 2006-11-22 |
发明(设计)人: | 叶雄英;谭苗苗;周兆英;王晓皓 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B82B1/00;G01C19/00;G01P15/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高存秀 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种微纳结构的惯性传感器本体包括:硅基底和在其上设置的绝缘层,2个条带形电极设置在绝缘层上部的两边;2组一维纳米材料的谐振梁分别搭放在质量块与第一电极,和质量块与第二电极之间,或一组谐振梁经过质量块从第一电极搭到第二电极上,谐振梁在与电极和质量块的接触面处固定;质量块位于绝缘层上部的中心处,质量块在谐振梁的支撑下悬空;整个基底作为驱动电极,硅基底上的绝缘层开有一个窗形成压焊盘,作为底电极的引出接头;第一电极和第二电极分别有引线与压焊盘相连;同时,一维纳米材料也作为质量块与电极和电极实现电连接的电引线。本发明的制法包括以硅片为基底材料,对硅片表面微加工和进行一维纳米材料的定向组装实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 惯性 传感器 本体 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种微纳结构的惯性传感器本体包括:一硅基底1和在其上设置的绝缘层(2),在绝缘层(2)上部固定的电极,电极上部固定有谐振梁(5)、电极引线,以及一质量块(6),其特征在于,所述电极为(2)个条带形,分别设置在基体绝缘层(2)上部的两边;所述谐振梁(5)为2组一维纳米材料,该2组谐振梁分别搭放在质量块(6)与第一电极(3)和质量块(6)与第二电极4之间,或者所述谐振梁(5)为一组,该一组谐振梁(5)经过质量块(6)从第一电极(3)搭到第二电极(4)上,谐振梁(5)在与电极和质量块的接触面处固定;所述质量块(6)位于绝缘层(2)上部的中心处,质量块在谐振梁的支撑下悬空,绝缘层(2)与质量块(6)之间的间隙为0.3μm-4μm;整个基底(1)作为驱动电极,硅基底(1)上的绝缘层(2)开有一个窗形成压焊盘(9),作为底电极的引出接头;第一电极(3)和第二电极(4)分别有引线与压焊盘(7)和(8)相连;同时,一维纳米材料也作为质量块(6)与电极(3)和电极(4)实现电连接的电引线。
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