[发明专利]镀膜源、真空镀膜装置、有机EL面板的制造方法和有机EL面板无效
| 申请号： | 200510071935.X | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1704501A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 增田大辅;安彦浩志;梅津茂裕 | 申请（专利权）人： | 日本东北先锋公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/54;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本山形*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明可实现获得良好的图案形成精度或者膜厚均匀性的镀膜。一种在基板(1)的被镀膜面(1a)上形成薄膜的真空镀膜装置的镀膜源(10)，具有：材料容纳部(11)，其容纳镀膜材料；加热装置(12)，其对材料容纳部(11)内的镀膜材料进行加热；以及镀膜流控制部(13)，其设置在材料容纳部(11)的喷出口，控制镀膜流的方向；镀膜流控制部(13)使镀膜流在被镀膜面(1a)相对镀膜源(10)的移动方向(X方向)上具有强指向性。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 真空镀膜 装置 有机 el 面板 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空镀膜装置的镀膜源，该真空镀膜装置通过将由加热镀膜材料使其升华或者蒸发所生成的前述镀膜材料的原子流或分子流构成的镀膜流朝被镀膜面喷射，在该被镀膜面上形成薄膜，前述镀膜源特征在于，镀膜源具有：材料容纳部，其容纳前述镀膜材料；加热装置，其对该材料容纳部内的镀膜材料进行加热；以及镀膜流控制部，其设置在前述材料容纳部的喷出口，控制前述镀膜流的方向；前述镀膜流控制部使前述镀膜流在前述被镀膜面相对前述镀膜源的移动方向上具有强指向性。
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