[发明专利]用于半导体铜制程的水相清洗组合物有效

专利信息
申请号: 200510072136.4 申请日: 2005-05-20
公开(公告)号: CN1865423A 公开(公告)日: 2006-11-22
发明(设计)人: 陈建清;刘文政;薛景全;霍登彦 申请(专利权)人: 长兴开发科技股份有限公司
主分类号: C11D7/32 分类号: C11D7/32;H01L21/30
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王允方
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种用于集成电路处理中化学机械平坦化后的含铜导线晶圆的水相清洗组合物,其包括0.1-15重量%含氮杂环类有机碱、0.1-35重量%醇胺和水。与经化学机械平坦化后的含铜半导体晶圆接触一段有效时间后,本发明的水相清洗组合物可以有效地去除残留在晶圆表面上的污染物,同时维持含铜半导体晶圆优选的表面粗糙度。
搜索关键词: 用于 半导体 铜制 清洗 组合
【主权项】:
1.一种用于后化学机械平坦化的水相清洗组合物,其包含(a)0.1-15重量%的含氮杂环有机碱;(b)0.1-35重量%的醇胺;和(c)水。
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