[发明专利]球形半导体颗粒的批量生产方法和设备无效
申请号: | 200510072998.7 | 申请日: | 2001-11-26 |
公开(公告)号: | CN1706993A | 公开(公告)日: | 2005-12-14 |
发明(设计)人: | 浜川圭弘;室园干男;高仓秀行;山口由岐夫;山形顺;安田英典 | 申请(专利权)人: | 珂琳21风险投资株式会社 |
主分类号: | C30B13/00 | 分类号: | C30B13/00;C30B15/00;C30B29/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双;潘培坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种球形半导体颗粒的批量生产方法和设备,该方法包括在坩埚中存储半导体;通过加热装置加热并熔化坩埚中的半导体;在气相中使来自坩埚的熔融半导体从喷嘴滴落;和通过振动装置振动坩埚中的所述熔融半导体或在气相中滴落的熔融半导体。本发明的方法和设备通过从喷嘴滴落已经在坩埚中熔化的半导体并且使该熔融半导体振动的简单操作,可以大量制作具有均匀颗粒直径的球形半导体颗粒。如此制作的颗粒可以容易地在气相中转变成单晶或多晶颗粒。 | ||
搜索关键词: | 球形 半导体 颗粒 批量 生产 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种球形半导体颗粒的批量生产方法,包括:在坩埚中存储半导体;通过加热装置加热并熔化坩埚中的半导体;在气相中使来自坩埚的熔融半导体从喷嘴滴落;和通过振动装置振动坩埚中的所述熔融半导体或在气相中滴落的熔融半导体。
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