[发明专利]窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法

摘要

本发明属于光电子技术领域，一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。关键技术为：在铟磷(InP)衬底上制作吸收型光栅；采用窄条选择外延生长技术自动生成铝铟镓砷(AlInGaAs)应变补偿多量子阱窄条台形有源区，并用铟磷(InP)将该台面包覆起来；台形有源区形成后，大面积生长p型铟磷(InP)盖层和P型铟镓铟砷(InGaAs)接触层，然后对台形有源区两侧进行离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)。

主权项

1.一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法，其步骤如下：1)在衬底上大面积制作分布反馈光栅；2)在制作了反馈光栅的外延片上，一次外延生长吸收层和缓冲层；3)在外延片上生长充当掩膜图形材料的介质膜；4)光刻得到窄条选择外延生长所需要的介质掩膜图形；5)利用窄条选择外延生长技术，在光刻了介质掩膜图形的外延片上二次外延依次生长n型铟磷(InP)层、铝铟镓砷(AlInGaAs)窄条台形有源区和p型铟磷(InP)包覆层；6)利用腐蚀液去掉形成掩膜图形的介质膜；7)三次外延生长p型铟磷(InP)盖层和重掺杂的P型铟镓砷(InGaAs)接触层；8)利用光刻胶形成对窄条台形有源区的掩蔽图形；9)对窄条台形有源区两侧进行离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)；10)在外延片上生长介质膜绝缘层；11)对介质膜绝缘层进行光刻，开出电极窗口；12)制作p面金属高频电极；13)背面减薄，制作n面电极；14)解理外延片制作芯片。