[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 200510074724.1 申请日: 2005-05-31
公开(公告)号: CN1705110A 公开(公告)日: 2005-12-07
发明(设计)人: 浅野英一;盐原利夫 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;C08L63/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元;赵仁临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体密封用环氧树脂组合物及用其固化物密封的半导体装置。所述组合物含(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机化合物、及(D)无机填充剂为必须成分,其中所述(C)无机化合物是下式所示的无机化合物:M1xM2yOz (式中M1、M2分别表示金属元素,M1、M2中至少有一种是周期表第II族的金属元素,它的第2离子化电位在20eV或20eV以下。x、y、z分别表示1~20的整数。)从而提供信赖性优异,作为半导体装置密封材料使用时,能够获得降低由于迁移现象而导致的绝缘不良等电特性不良现象的固化物的半导体密封用环氧树脂组合物以及用其固化物密封的半导体装置。
搜索关键词: 半导体 密封 环氧树脂 组合 以及 装置
【主权项】:
1.一种半导体密封用环氧树脂组合物,该组合物是含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机化合物、以及(D)无机填充剂作为必须成分的环氧树脂组合物,其特征在于,(C)无机化合物,是用下述式(1)所示的无机化合物:M1xM2yOz…(1)(式中M1、M2分别表示金属元素,M1、M2中至少有一种是周期表第II族的金属元素,它的第2离子化电位在20eV或20eV以下,x、y、z分别表示1~20的整数)。
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