[发明专利]具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明提供一种具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，可于源极/漏极区域形成应力诱导层，该应力诱导层包括第一半导体材料及第二半导体材料。利用一系列作用于第一半导体材料的反应操作形成应力诱导层并迫使第二半导体材料进入应力诱导层下层。该应力诱导层可以位于源极/漏极间的凹陷区域或非凹陷区域。本发明提供一种方法，利用锗硅化物的氮化或氧化工艺使源极/漏极区域产生应力诱导层，此应力诱导层上层可形成氮化或氧化薄膜，并使锗得以进入应力诱导层下层。本发明提供另一方法，产生反应层覆盖于应力诱导层之上，使该反应层与应力诱导层产生交互作用。

主权项

1.一种半导体元件，其特征是该元件至少包含：形成于基材上的栅极；以及形成于栅极任一侧的源极/漏极区域；其中该源极/漏极区域包含应力诱导层，至少包含第一半导体材料及第二半导体材料，其中第二半导体材料的浓度，靠近该应力诱导层表面上层的浓度大于下层。