[发明专利]以能量耗散层改进低介电常数电介质器件的稳定性无效
| 申请号： | 200510083277.6 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1728374A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈行聪;斯特法尼·R·奇拉斯;迈克尔·莱恩;林庆煌;罗伯特·罗森伯格;托马斯·M·肖;特里·A·斯普纳尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种塑性和/或粘弹性变形层，该变形层可以和低k电介质(k小于4.0)联合使用以提供一种具有改善的稳定性的电子半导体结构。变形层可以包含在电子结构中的各种地方以耗散结构中的能量，这种能量可以引起低k电介质材料断裂或分层。而且，电子结构中存在变形层提高了合成结构的整体强度。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 耗散 改进 介电常数 电介质 器件 稳定性 | ||
【主权项】：
1、一种电子结构，它包括至少一层塑性或粘弹性变形层。
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