[发明专利]横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200510089700.3 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1716631A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 五十岚敦史 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种横向沟槽MOSFET，其中增加沟道宽度而不增加元件区域以获得开态电阻的降低，通过多方向离子注入在沟槽(008)的两端附近形成源极层(004)和漏极层(005)。使用这一结构，形成的源极层(004)和漏极层(005)均深于沟槽(008)，电子流过整个沟道区域，并且有效沟道长度变短。可以进一步实现开态电阻的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.半导体器件，包括：设置在半导体衬底表面上的第一导电类型半导体层；从第一导电类型半导体层表面到它深度的中点平行设置的沟槽；经由栅极氧化物薄膜提供的栅电极，该栅极氧化物膜形成在除了其两个端部附近之外的沟槽的表面上并在第一导电类型半导体层的表面部分上；和第二导电类型源极层和第二导电类型漏极层，均设置在低于沟槽底部表面位置的位置处，通过栅电极作为掩模，到达第一导电类型半导体层表面，且到达沟槽内部。
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