[发明专利]一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法有效
| 申请号： | 200510094747.9 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1761080A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;韩平;刘成祥;周圣明;修向前;刘斌;李亮;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在一定500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500－1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700－900℃和600－800℃生长层厚分别为15－20nm和5－15nm的5－10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan gan 量子 led 器件 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，其特征是利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，然后或通入氨气进行表面氮化，再在一定500-1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN的LED器件结构；并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。
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