[发明专利]防止击穿的功率半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510096575.9 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1747181A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金钟旼 | 申请（专利权）人： | 敦南科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;郑特强 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于防止信道区域的击穿的功率半导体，为了这个目的，本发明提出了一种防止击穿的功率半导体装置，其拥有一传导型态1的高浓度基板；一传导型态1的主要外延区域，在该基板区域的顶部上加以形成为低浓度；一传导型态1的次要外延区域，在该主要外延区域的顶部上加以形成为中浓度、并具有实际上跨越厚度的均匀掺杂变化曲线；多个传导型态2的次要体区域，形成在该次要外延区域的范围之中；以及两个传导型态1的源极区域，沿着该所述区域的两个边缘而加以形成为高浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 击穿 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止击穿的功率半导体装置及其制造方法，包括：一反击穿功率半导体，包括：一传导型态1的高浓度基板；一传导型态1的主要外延区域，其在该基板区域的顶部上形成为低浓度；一传导型态1的次要外延区域，其在该主要外延区域的顶部上形成为中浓度、并具有实际上跨越整个厚度的均匀浓度变化曲线；多个传导型态2的次要体区域，其形成在该次要外延区域的范围之中；以及两个传导型态1的源极区域，其沿着所述体区域的两个边缘而形成为高浓度。
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