[发明专利]具有层积结构的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510098020.8 | 申请日： | 2005-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1744314A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 今冈俊一;臼井良辅 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L21/00;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有层积结构的半导体装置及其制造方法。其提供一种使半导体装置小型化的方法。半导体装置(100)包括：基体部件(20)，半导体芯片(10a、10b)，片状部件(12a、12b)，绝缘基体部件(30)，配线图案(34)，通路塞(32)，外部引出电极(36)，凹部(40)，树脂(50)。绝缘基体部件(30)具有多层结构，是层积多个绝缘膜而形成的。半导体芯片(10a)及片状部件(12a)安装在基体部件(20)，埋入绝缘基体部件(30)中。半导体装置(100)的表面形成有凹部(40)，其深度直至某配线导体层，在凹部(40)安装有半导体芯片(10b)、片状部件(12b)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 层积 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：层积衬底，其层积有绝缘层和配线导体层；凹部，其形成于所述层积衬底一侧面侧的绝缘层上；电路元件，其埋入与形成有所述凹部的绝缘层不同的绝缘层中，所述凹部的底部到达配线导体层。
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