[发明专利]密封环结构、半导体晶圆与降低切割引起应力影响的方法有效
| 申请号： | 200510102676.2 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1770432A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 姚志翔;黄泰钧;纪冠守;郑志成;梁明硕;万文恺;夏劲秋;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种密封环结构、半导体晶圆与降低切割引起应力影响的方法，所述密封环结构，适用于保护一集成电路晶片的一核心电路区，包括：一金属化层，其具有一桥接次层以及一插栓次层；一桥接物，位于该桥接次层内介于该集成电路晶片的一周边边缘与该核心电路区间的一既定位置；以及一插栓，位于该插栓次层内且大体对准于该桥接物，其中该插栓具有大体相同于该桥接物的宽度的一宽度。本发明所述的密封环结构、半导体晶圆与降低切割引起应力影响的方法，可限制与阻止来自集成电路晶片的边缘处的裂痕的推进。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 结构 半导体 降低 切割 引起 应力 影响 方法 | ||
【主权项】：
1.一种密封环结构，适用于保护一集成电路晶片的一核心电路区，其特征在于所述密封环结构包括：一金属化层，其具有一桥接次层以及一插栓次层；一桥接物，位于该桥接次层内介于该集成电路晶片的一周边边缘与该核心电路区间的一既定位置；以及至少一插栓，位于该插栓次层且对准于该桥接物，其中该至少一插栓具有相同于该桥接物的宽度的一宽度。
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