[发明专利]测量荧光或冷光发射衰变的集成光电子系统无效

专利信息
申请号: 200510105859.X 申请日: 2005-09-29
公开(公告)号: CN1793861A 公开(公告)日: 2006-06-28
发明(设计)人: 朱利恩·富凯;伊安·哈蒂卡斯特勒;若恩·P·赫宾;安妮特·C·格罗特;约翰·弗朗西斯·派特瑞拉 申请(专利权)人: 安捷伦科技有限公司
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 王怡
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种用于测量荧光或冷光发射衰变的光电子系统。该光电子系统:包括(a)光源,其是发光二极管、半导体激光器或闪光管;(b)第一集成电路,其包括至少一个电路,所述电路引起所述光源向样本发射光脉冲,这引起来自所述样本的荧光或冷光发射;(c)光电二极管,其检测所述发射;(d)第二集成电路,其包括检测分析系统,所述检测分析系统通过分析检测到的发射的衰变来确定关于所述样本的信息;以及(e)外壳,其包封所述光源、所述第一集成电路、所述第二集成电路和所述光电二极管。
搜索关键词: 测量 荧光 冷光 发射 衰变 集成 光电 子系统
【主权项】:
1.一种装置,包括:光源,其是发光二极管、半导体激光器或闪光管;集成电路,其可操作以引起所述光源向样本发射光脉冲,这引起来自所述样本的荧光或冷光发射;探测器,其检测所述发射;检测分析系统,其通过分析检测到的发射的衰变来确定关于所述样本的信息;以及外壳,其包封所述光源、所述集成电路和所述检测分析系统。
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