[发明专利]具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510106921.7 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1753189A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 朴珉彻;许星会;崔正达;李知晅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105;H01L27/112;H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 非易失性存储器件包括半导体衬底、器件隔离层、隧道绝缘层、浮置栅极、埋入浮置栅极以及控制栅极。沟槽位于衬底上，用于限定与沟槽相邻的衬底的激活区。器件隔离层沿沟槽位于衬底上。隧道绝缘层位于衬底的激活区上。浮置栅极位于对着衬底的激活区的隧道绝缘层上。埋入浮置栅极位于沟槽内的器件隔离层上。栅极间介质层位于浮置栅极和埋入浮置栅极上，而且在它们之上延伸。控制栅极位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 侧壁 晶体管 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：半导体衬底，其上具有沟槽，用于限定与该沟槽相邻的衬底上的激活区；器件隔离层，沿沟槽，位于衬底上；隧道绝缘层，位于衬底上的激活区上；浮置栅极，位于对着衬底上的激活区的隧道绝缘层上；埋入浮置栅极，位于沟槽内的器件隔离层上；栅极间介质层，在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸；以及控制栅极，位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。
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