[发明专利]TFT测定方法无效
申请号: | 200510107970.2 | 申请日: | 2005-09-30 |
公开(公告)号: | CN1760685A | 公开(公告)日: | 2006-04-19 |
发明(设计)人: | 宮本隆 | 申请(专利权)人: | 安捷伦科技公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01M11/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的目的在于向TFT阵列保持电容的保持特性测试中提供一种高速测定方法。本发明所述的测定方法是指:在具备多个像素电路的TFT阵列中,至少包含第一、第二、第三与第四像素电路,且所述多个像素电路具备保持电容、用于连接数据线于保持电容的开关用晶体管、以及用于控制该晶体管操作的闸极线,在测定充电后经过预定的保持时间后的第一像素电路保持电容的电荷后,对尚未充电的第三像素电路的保持电容充电,在测定充电后经过预定的保持时间后的第二像素电路保持电容的电荷后,对尚未充电的第四像素电路的保持电容充电,且在向第三像素电路的保持电容充电之后,经过预定的保持时间之后测定第三像素电路的保持电容的电荷,在向第四像素电路的保持电容充电之后,经过预定的保持时间后,测定第四像素电路的保持电容的电荷。 | ||
搜索关键词: | tft 测定 方法 | ||
【主权项】:
1.一种测定方法,其特征在于:其是一种含有具备保持电容的多个像素电路的主动矩阵显示面板TFT阵列的保持特性测定方法,所述多个像素电路中的每一个包含一保持电容、一用于将数据线连接于所述保持电容的开关用晶体管以及一用于控制所述开关用晶体管的开关操作的闸极线,且所述多个像素电路至少具备第一、第二、第三以及第四像素电路,所述测定方法包括以下步骤:在充电后测定经过预定保持时间的一第一像素电路的保持电容的电荷,且而后对一尚未充电的第三像素电路的保持电容充电,在充电后测定经过预定保持时间的第二像素电路的保持电容的电荷,且而后对一尚未充电的第四像素电路的保持电容充电,在对所述第三像素电路的保持电容充电之后,测定经过所述预定保持时间的所述第三像素电路的保持电容的电荷,以及在对所述第四像素电路的保持电容充电之后,测定经过所述预定保持时间的所述第四像素电路的保持电容的电荷。
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