[发明专利]一种性能优化的(Ba,Zr)TiO3铁电薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510110914.4 申请日: 2005-11-29
公开(公告)号: CN1978071A 公开(公告)日: 2007-06-13
发明(设计)人: 翟继卫;高成 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: B05D1/38 分类号: B05D1/38;B05D5/12;H01L41/22
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 余明伟;沈锡英
地址: 200092上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种铁电薄膜,具体涉及一种采用化学方法制备钛酸锆钡(BZT)铁电薄膜的方法技术领域。本发明所述的性能优化的(Ba,Zr)TiO3铁电薄膜的制备方法,其具体步骤是:先用溶胶-凝胶法配制前驱体溶液,然后将前驱体溶液涂覆在衬底上制备籽晶层,再在籽晶层上涂覆前驱体溶液制备所需厚度的薄膜,最后将薄膜在650~750℃下热处理25~35分钟,溅射上电极即可。用本发明的方法制得的Ba(Ti,Zr或Sn)O3铁电薄膜与一般的铁电薄膜比较,在薄膜和衬底之间生成与薄膜成分相同的籽晶对薄膜性能具有优化作用,使之具有较高的介电常数、较低的介电损耗及漏电流低等特点。
搜索关键词: 一种 性能 优化 ba zr tio sub 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种性能优化的(Ba,Zr)TiO3铁电薄膜的制备方法,其具体步骤是:先用溶胶-凝胶法配制前驱体溶液,然后将前驱体溶液涂覆在在衬底上制备籽晶层,再在籽晶层上涂覆前驱体溶液制备所需厚度的薄膜,最后将薄膜在650~750℃中热处理25~35分钟,溅射上电极。
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