[发明专利]用于半导体晶片清洗的缓蚀剂体系有效
| 申请号： | 200510111602.5 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1982426A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;王淑敏 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C11D3/37 | 分类号： | C11D3/37;C23G1/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片清洗的缓蚀剂体系，其中，该缓蚀剂体系包括水和/或溶剂，其特征在于还包括一种含羧基的聚合物，其中，合成该聚合物的至少一种单体含有羧基。本发明的用于半导体晶片清洗的缓蚀剂体系具有对环境友善、安全无毒、有利于健康的特点，可在室温至85℃之间使用，而且在含氟和不含氟的体系中对金属或非金属腐蚀均有很好的抑制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 清洗 缓蚀剂 体系 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体晶片清洗的缓蚀剂体系，该缓蚀剂体系包括水和/或溶剂，其特征在于还包括一种含羧基的聚合物，其中，合成该聚合物的至少一种单体含有羧基。
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