[发明专利]用于校验光刻中的分辨率增强技术和光学邻近校正的方法无效
| 申请号： | 200510114979.6 | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1776695A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | L·W·利布曼;I·C·格劳尔;J·A·卡尔普;M·慕克尔吉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种基于模型地校验光刻中的分辨率增强技术(RET)和光学邻近校正(OPC)的方法，所述方法包括：将绘制的掩模布局的形状按比例缩放到其相应的预定晶片尺寸，以生成比例图像。根据预定的最大覆盖误差，相对于所述比例图像的第二特征偏移其第一特征。计算所述比例图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定理想布局的产量量度。根据所述预定的最大覆盖误差，相对于所述模拟晶片图像的第二特征偏移其第一特征。计算所述模拟晶片图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定模拟布局的产量量度，以及比较所述模拟晶片图像的所述产量量度与所述比例图像的所述产量量度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 校验 光刻 中的 分辨率 增强 技术 光学 邻近 校正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于模型地校验光刻中的分辨率增强技术(RET)和光学邻近校正(OPC)的方法，所述方法包括：将绘制的掩模布局的形状按比例缩放到其相应的预定晶片尺寸，以生成比例图像；根据预定的最大覆盖误差，相对于所述比例图像的第二特征偏移所述比例图像的第一特征；计算所述比例图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定理想布局的产量量度；根据所述预定的最大覆盖误差，相对于所述绘制的掩模布局的模拟晶片图像的第二特征偏移所述模拟晶片图像的第一特征，其中所述模拟晶片图像的所述第一和第二特征对应所述比例图像的所述第一和第二特征；计算所述模拟晶片图像的所述第一和所述第二特征的交叉参数，从而确定模拟布局的产量量度；以及比较所述模拟晶片图像的所述产量量度与所述比例图像的所述产量量度。
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