[发明专利]硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200510115765.0 申请日: 2005-11-11
公开(公告)号: CN1752268A 公开(公告)日: 2006-03-29
发明(设计)人: 蒋毅坚;常雷;龚小南 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C23C14/00 分类号: C23C14/00;C23C14/28;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/54
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 张慧
地址: 100022*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明包括以下步骤:硅基片用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗,干燥后置于真空室内的硅板加热器上;抽真空至4×10-4~4×10-5Pa后,硅板加热器升温至650~850℃,且真空度保持在4×10-4pa~4×10-5Pa;充入氧气,流动氧压保持在5~80Pa;1~2J/cm2的准分子激光以2~5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000~25000个脉冲;总脉冲数分3~6次输出,每次输出500~5000个脉冲,间隔3~10分钟;然后硅板加热器以3~20℃/min升至750~900℃,氧压保持在300~1×105Pa,保温1~12小时后将硅板温度分3个阶段降至室温。本发明未使用缓冲层,薄膜居里温度达到296~298K,275K时的TCR高于9%K-1,290K时的TCR为6%K-1;工艺简单,周期短,成本低,薄膜择优生长,结晶形态好。
搜索关键词: 硅基片上 制备 镧钡锰氧 功能 薄膜 方法
【主权项】:
1、一种硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)硅基片分别用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗,进行干燥后置于真空室内的硅板加热器上;2)将真空室抽至4×10-4~4×10-5Pa后,硅板加热器升温至650~850℃,且真空室内真空保持在4×10-4Pa~4×10-5Pa;3)向真空室内充入氧气,使真空室内的流动氧压保持在5~80Pa;4)能量密度为1~2J/cm2的准分子激光以2~5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000~25000个脉冲;总脉冲数分为3~6次输出,每次输出500~5000个脉冲,间隔3~10分钟;5)然后硅板加热器以3~20℃/min升至750~900℃,并使氧压保持在300~1×105Pa,保温1~12小时后,将硅板温度降至室温,降温过程分为3个阶段:①硅板实时温度-550℃:1~5℃/min;②550℃-300℃,2~7℃/min;③300℃-室温,4~20℃/min。
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