[实用新型]抗高过载SOI压力敏感芯片的结构无效
| 申请号： | 200520021822.4 | 申请日： | 2005-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN2888651Y | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王伟;吴亚林;张彤;迟晓珠;张精华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨市东北汽车电子工程技术研究开发中心 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;B81B7/02;G01L1/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 祖玉清 |
| 地址： | 150001黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的是一种用于抗高过载SOI压力敏感芯片的结构。带双岛的硅膜片的薄膜区正面或背面除沿双岛长度方向的梁以外的其余薄膜为经减薄处理的、形成梁膜岛结构的硅膜片，硅膜片与硅基片或玻璃基片键合在一起。本实用新型是对带双岛膜片结构进行了改善，由于形成梁膜结构，具有灵敏度、非线性小的特点。梁膜岛膜片结构适用于中、低、微量程压力传感器，通过设置限位结构，可以承受10倍量程压力以上的过载。因此对SOI压力传感器的发展起到促进作用。 | ||
| 搜索关键词： | 过载 soi 压力 敏感 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于抗高过载SOI压力敏感芯片的结构，其特征是：带双岛的硅膜片的薄膜区正面或背面除沿双岛长度方向的梁以外的其余薄膜为经减薄处理的、形成梁膜岛结构的硅膜片，硅膜片与硅基片或玻璃基片键合在一起。
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