[实用新型]一种铟钨金属镶嵌靶无效
| 申请号： | 200520043480.6 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN2908530Y | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张群;章壮健;李喜峰;缪维娜;黄丽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 姚静芳 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜的铟钨金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钨丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为1.0－3.5mm的小孔，小孔内镶嵌钨丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 镶嵌 | ||
【主权项】：
权利要求书1、一种铟钨金属镶嵌靶，其特征是该靶是反应直流磁控溅射靶，该靶在纯度为99.99％的铟金属圆靶磁溅射区内均匀对称的有直径为1.0-3.5mm的小孔，小孔内镶嵌有纯度为99.99％的钨丝，小孔的个数为4-18个，镶嵌后钨/铟原子之比为1.5-6at％。
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