[实用新型]压容式传感器无效

专利信息
申请号: 200520116497.X 申请日: 2005-11-17
公开(公告)号: CN2870174Y 公开(公告)日: 2007-02-14
发明(设计)人: 陈旭远;赵玉成 申请(专利权)人: 杭州科岛微电子有限公司;厦门大学萨本栋微机电研究中心
主分类号: H01L29/84 分类号: H01L29/84;G01L9/12;G01L1/14;B60C23/00
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 代理人: 梁寅春
地址: 310021浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 测量灵敏度和线性度高,温度影响小的压容式传感器,硅片衬底层上设有空腔(9),硅片衬底层上面具有二氧化硅层其上面复合有硅膜层,空腔底部具有二氧化硅层,在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上刻有凹槽I(7)位于空腔的外围,所述硅膜层以凹槽I为界分为槽外硅膜层(8)和腔上硅膜层(6),在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上还刻有凹槽II(1),凹槽I(1)与凹槽II相互贯通,在凹槽II(1)内围的硅膜层上复合有金属层I(2),金属层I与腔上硅膜层相互连接,在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上还刻有凹腔(3)其底部复合有金属层II(4)与硅片衬底层(10)结合,槽外硅膜层(8)上复合有金属层III(5)。本实用新型用作汽车轮胎压力监视系统的传感器。
搜索关键词: 压容式 传感器
【主权项】:
1、压容式传感器,具有硅片衬底层(10),硅片衬底层(10)上设有空腔(9),其特征是所述的硅片衬底层(10)上面具有二氧化硅层(11),硅片衬底层(10)的空腔(9)底部具有二氧化硅层(12),在所述的二氧化硅层(11)上面复合有硅膜层,在所述相互复合的硅膜层和二氧化硅层(11)上刻有开口的半封闭型凹槽I(7)位于所述空腔(9)的外围,所述硅膜层以凹槽I(7)为界分为槽外硅膜层(8)和腔上硅膜层(6),在所述相互复合的硅膜层和二氧化硅层上还刻有开口的半封闭型凹槽II(1),凹槽I(1)与凹槽II(7)在所述开口处相互贯通,在凹槽II(1)内围的硅膜层上复合有金属层I(2),金属层I(2)与腔上硅膜层(6)相互连接,在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上还刻有凹腔(3),凹腔(3)底部复合有金属层II(4)与硅片衬底层(10)结合,在所述槽外硅膜层(8)上复合有金属层III(5)。
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