[实用新型]离子注入机非均匀磁场边缘特性校正器无效
| 申请号： | 200520142504.3 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN2906907Y | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 唐景庭;伍三忠;郭健辉;彭立波;王迪平;孙勇;许波涛;易文杰;姚志丹;孙雪平;谢均宇 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 曾永珠 |
| 地址： | 100036北京市海淀区复兴路*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种离子注入机非均匀磁场边缘特性校正器，包括：非均匀磁场入口上校正磁极，非均匀磁场入口下校正磁极，非均匀磁场出口下校正磁极，非均匀磁场出口上校正磁极，非均匀磁场上磁极，非均匀磁场下磁极，非均匀磁场上励磁线圈，非均匀磁场磁轭，非均匀磁场下励磁线圈。非均匀磁场的边缘磁场外层，产生另一非均匀磁场，其非均匀分布的规律和原非均匀磁场相反，磁场方向相反，而其边缘磁场特性相近，因此两者叠加后的边缘磁场较原非均匀磁场就有很大的改善，更加接近理想设计的边缘分布。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 均匀 磁场 边缘 特性 校正 | ||
【主权项】：
1、一种离子注入机非均匀磁场边缘特性校正器，包括非均匀磁场上磁极，非均匀磁场下磁极，非均匀磁场上励磁线圈，非均匀磁场磁轭，非均匀磁场下励磁线圈，其特征在于：还包括非均匀磁场入口上校正磁极，非均匀磁场入口下校正磁极，非均匀磁场出口下校正磁极，非均匀磁场出口上校正磁极，其中非均匀磁场磁轭上螺钉连接有非均匀磁场上磁极和非均匀磁场下磁极，两磁极的之间在竖直方向的距离由里往外逐渐增大；非均匀磁场上磁极上侧螺钉连接非均匀磁场上励磁线圈，非均匀磁场下磁极下侧螺钉连接非均匀磁场下励磁线圈；非均匀磁场入口上校正磁极螺钉连接在非均匀磁场入口上侧，非均匀磁场入口下校正磁极螺钉连接在非均匀磁场入口下侧，两磁极的之间在竖直方向的距离由外往里逐渐增大；非均匀磁场出口上校正磁极螺钉连接在非均匀磁场出口上侧，非均匀磁场出口下校正磁极螺钉连接在非均匀磁场出口下侧，两磁极的之间在竖直方向的距离由外往里逐渐增大。
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