[实用新型]一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉无效
| 申请号： | 200520146921.5 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN2890098Y | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 戴小林;吴志强;韩秋雨;姜舰;周旗钢;张果虎 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉，它包括：石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏，其特征在于：它还包括后氧化装置，该装置包括三通管、管道、阀门和流量计，后氧化装置安装在单晶炉上炉室与主真空泵之间的管道上。实用新型的优点是：本设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面，沉结的大量SiO(又称挥发物)，防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，遇到空气时，发生燃烧甚至爆炸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 氧化 装置 直拉硅单晶炉 | ||
【主权项】：
1、一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉，它包括：石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏，其特征在于：它还包括后氧化装置，该装置包括三通管、管道、阀门和流量计，后氧化装置安装在单晶炉上炉室与主真空泵之间的管道上。
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