[发明专利]氧化形式的金属的化学机械抛光有效

专利信息
申请号: 200580001954.3 申请日: 2005-01-05
公开(公告)号: CN1906262A 公开(公告)日: 2007-01-31
发明(设计)人: 弗朗西斯科·德里格蒂索罗;弗拉斯塔·布鲁西克;本杰明·P·拜尔 申请(专利权)人: 卡伯特微电子公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;H01L21/321;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉;贾静环
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供用于抛光包含氧化形式的金属的基板的方法,该方法包括以下步骤:(a)提供包含氧化形式的金属的基板;(b)将一部分该基板与化学机械抛光体系接触,其中该化学机械抛光体系包括:(i)抛光成分、(ii)还原剂及(iii)液体载体;以及(c)研磨至少一部分氧化形式的金属以抛光该基板。该还原剂可以选自3-羟基-4-吡喃酮、α-羟基-γ-丁内酯、抗坏血酸、硼烷、硼氢化物、二烷基胺硼烷、甲醛、甲酸、氢、氢醌、羟胺、次磷酸、亚磷酸、具有标准氧化还原电位小于氧化形式的金属的标准氧化还原电位的金属或氧化态金属离子、三羟基苯、溶剂化电子、亚硫酸、其盐及其混合物。
搜索关键词: 氧化 形式 金属 化学 机械抛光
【主权项】:
1.一种用于抛光包括氧化形式的金属的基板的方法,该方法包括下列步骤:(a)提供包括氧化形式的金属的基板,(b)将一部分该基板与化学机械抛光体系接触,该体系包括:(i)抛光成分,其选自研磨剂、抛光垫及其组合,(ii)还原剂,其选自3-羟基-4-吡喃酮、α-羟基-γ-丁内酯、硼烷、硼氢化物、二烷基胺硼烷、甲醛、甲酸、氢、氢醌、羟胺、次磷酸、三羟基苯、溶剂化电子、亚硫酸、其盐类及其混合物,及(iii)液体载体;以及(c)研磨至少一部分氧化形式的该金属以抛光该基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡伯特微电子公司,未经卡伯特微电子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580001954.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top