[发明专利]绝缘层上覆硅上的NOR型信道程序化信道抹除非接触式闪存无效
| 申请号： | 200580002609.1 | 申请日： | 2005-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1914739A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 吴国成 | 申请（专利权）人： | 吴国成 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 美国加州9513*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，其具有一个电子抹除式只读存储器(EEPROM)，包含：一个非接触式电子抹除式只读存储器记忆晶胞的阵列，该记忆晶胞位于直行或横列，并位于绝缘层上覆硅。每一个电子抹除式只读存储器记忆晶胞包含：一个汲极区，一个源极区，一个闸极区及一个本体区。该半导体装置更包含：多个闸极线，每个该闸极线连接该电子抹除式只读存储器记忆晶胞的每一列的闸极区，及多个源极线，每个该源极线连接该电子抹除式只读存储器记忆晶胞的每一行源极区。该电子抹除式只读存储器记忆晶胞的每一行源极区与汲极区，均与该电子抹除式只读存储器记忆晶胞的邻接行源极区与汲极区隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅上 nor 信道 程序化 除非 接触 闪存 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有一个电子抹除式可程序化只读存储器，其特征在于，包含：一个电子抹除式可程序化只读存储器记忆晶胞的非接触式阵列，其位于行与列，并于一绝缘层上覆硅上的晶圆上制造，每个该电子抹除式可程序化只读存储器记忆晶胞包含：一个汲极区，一个源极区，一个闸极区，及一个本体区；多个闸极线，该闸极线连接电子抹除式可程序化只读存储器的一列的该闸极区；多个源极线，该源极线连接电子抹除式可程序化只读存储器记忆晶胞的一行的源极区与本体区；及多个汲极线，该汲极线连接电子抹除式可程序化只读存储器记忆晶胞的一行的汲极区；该源极线与该汲极线为埋藏线，且电子抹除式可程序化只读存储器记忆晶胞的一行的源极区与汲极区，绝缘于电子抹除式可程序化只读存储器记忆晶胞的相邻行的源极区与汲极区。
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