[发明专利]由单步金属有机化学气相沉积制造的掩埋式异质结构器件无效
| 申请号： | 200580006102.3 | 申请日： | 2005-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1922518A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 大卫·P·鲍尔;斯科特·W·库兹纳 | 申请（专利权）人： | 安华高科技光纤IP（新加坡）私人有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本器件是光电子器件或透明波导器件，它包括生长表面(122、生长掩模(132)、光波导芯型平台(140)和包层(160)。生长掩模位于生长表面上，并限定了细长形生长窗口(134)。光波导芯型平台位于生长窗口中，并具有梯形截面形状。包层覆盖光波导芯型平台，并延伸到至少部分生长掩模上方。这种器件是通过提供具有生长表面(122)的晶片(110)、在第一生长温度下通过微选择区域生长在生长表面上生长光波导芯型平台(140)、并在低于第一生长温度的第二生长温度下用包层材料(160)覆盖光波导芯型平台而制造的。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 有机化学 沉积 制造 掩埋 式异质 结构 器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：生长表面(122)；所述生长表面上的生长掩模(132)，所述生长掩模限定了细长形生长窗口(134)；光波导芯型平台(140)，所述光波导芯型平台位于所述生长窗口中并具有梯形截面形状；和包层(160)，所述包层覆盖所述光波导芯型平台并在至少部分所述生长掩模上延伸。
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