[发明专利]中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法无效
| 申请号： | 200580007671.X | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1946638A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 菊山裕久;胁雅秀;桥口慎二;青木谦治 | 申请（专利权）人： | 斯特拉化工公司 |
| 主分类号： | C01G35/00 | 分类号： | C01G35/00;C01G33/00 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小灿;张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明介绍了中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法。其特征为，将肼或肼的水溶液加入：(1)钽化合物和/或铌化合物溶液、(2)氟化钽酸和/或氟化铌酸溶液或(3)氟化钽酸结晶和/或氟化铌酸结晶溶解在水中所得的溶液，并将由此得到的氢氧化钽和/或氢氧化铌进行煅烧。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 微粒子 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法，其特征为，将肼或肼的水溶液加入：(1)钽化合物和/或铌化合物溶液、(2)氟化钽酸和/或氟化铌酸溶液或(3)氟化钽酸结晶和/或氟化铌酸结晶溶解在水中所得的溶液，并将由此得到的氢氧化钽和/或氢氧化铌进行煅烧。
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