[发明专利]多介质FINFET结构和方法有效
| 申请号： | 200580008478.8 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101421850A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | W·F·小克拉克;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于鳍片型场效应晶体管(FinFET)结构的方法和结构，所述FinFET结构具有覆盖从衬底(110)延伸的鳍片(112，113，114)的不同厚度的栅极介质(502，504)。这些鳍片具有中心沟道区，以及在沟道区的相反侧的源极(60)和漏极(62)区。较厚的栅极介质(504)可以包括多个介质层(200，500)，而较薄的栅极介质(502)可以包括较少介质层(200)。在鳍片上可以设置包括与栅极介质不同的材料的覆层(116)。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 finfet 结构 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种鳍片型场效应晶体管(FinFET)结构，包括：衬底；鳍片，从所述衬底延伸；以及栅极介质，覆盖所述鳍片，其中所述栅极介质具有不同的厚度。
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