[发明专利]固相熔剂外延生长法无效
| 申请号： | 200580009225.2 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1934294A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 鲤沼秀臣;松本祐司;高桥龙太 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | C30B3/00 | 分类号： | C30B3/00;C30B29/22;C30B29/30;C30B29/32;H01L21/316;H01L27/105 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够制造具有与块晶同等的晶体完整性的薄膜、且制造成本低的固相熔剂外延生长法，其中，在基板上将外延生长的物质即目标物质和溶剂相混合的非晶形薄膜在低于共晶点温度的低温下进行堆积，在目标物质和熔剂的共晶点温度以上的温度下对该基板进行热处理，其中所述熔剂由与所述目标物质之间形成共晶但不形成化合物的物质构成。通过固相反应即固相扩散，目标物质和熔剂相混合而形成共晶状态的液相，目标物质从该液相析出并在基板上进行外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 熔剂 外延 生长 | ||
【主权项】：
1.一种固相熔剂外延生长法，其特征在于：在基板上将由目标物质和熔剂构成的非晶形薄膜在低于所述目标物质和熔剂的共晶点温度的温度下进行堆积，在所述目标物质和熔剂的共晶点温度以上的温度下、而且是在低于所述目标物质的熔点温度或熔剂的熔点温度中较低一方的熔点温度的温度下，对所述基板进行热处理，其中所述熔剂由与所述目标物质之间形成共晶但不形成化合物的物质构成。
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