[发明专利]发光器件基片的蚀刻无效
| 申请号： | 200580009426.2 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1950955A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | G·H·内格利 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;陈景峻 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发光器件的制造包括蚀刻发光器件的基片。所述蚀刻可以是足以增大通过基片提取的光量的含水蚀刻。所述蚀刻可以是对碳化硅基片的直接含水蚀刻。所述蚀刻可以从基片除去由对基片的其它处理引起的损伤，诸如由锯割基片引起的损伤。所述蚀刻可以除去基片中碳化硅的无定形区域。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括碳化硅基片的发光器件的方法，所述碳化硅基片具有第一和第二相对面以及在所述基片的第一面上的发光元件，所述方法包括：利用含水蚀刻直接蚀刻所述碳化硅基片的所述第二面，以便除去由对所述基片的处理引起的所述基片的损坏部分。
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