[发明专利]不含氟化物的离子注入光致抗蚀剂去除用超临界流体组合物无效
| 申请号： | 200580011849.8 | 申请日： | 2005-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101098954A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·B·克赞斯基;托马斯·H·鲍姆 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C11D7/50 | 分类号： | C11D7/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明所述为从具有离子注入光致抗蚀剂的半导体基片去除此类光致抗蚀剂的方法和组合物。该去除组合物含有供去除离子注入光致抗蚀剂所用的超临界CO2(SCCO2)、共溶剂和还原剂。此类去除组合物克服了SCCO2作为去除试剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性和与之相关的对存在于光致抗蚀剂中的、为有效清洗必须从半导体基片除去的物质不具有溶解能力，所述物质例如无机盐和极性有机化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化物 离子 注入 光致抗蚀剂 去除 临界 流体 组合 | ||
【主权项】：
1.离子注入光致抗蚀剂去除组合物，其包括至少一种超临界流体(SCF)、至少一种共溶剂和至少一种还原剂。
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