[发明专利]晶片级单元片处理无效
| 申请号： | 200580012760.3 | 申请日： | 2005-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101427360A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 保罗·M·因奎斯特;小盖伊斯·G·方廷;卡尔·T·佩特维 | 申请（专利权）人： | 齐普特洛尼克斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/687;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种窝伏尔组件设备，包括元件，该元件具有在元件的表面中的凹坑，以容纳来自至少一个半导体晶片的单元片。该元件跟半导体晶片处理设备和/或半导体晶片处理兼容。优选地，元件容纳来自半导体晶片的单元片的至少大多数。此外，提供了一种半导体器件装配方法，它从单个窝伏尔组件设备中移走单元片，将来自单个窝伏尔组件设备的单元片放置到半导体封装上以从放置的单元片装配集成电路所需的所有单元片部件，以及将半导体封装中的放置单元片电互连以形成集成电路。提供了另一种半导体器件装配方法，它从至少一个窝伏尔组件设备中移走单元片，将来自至少一个窝伏尔组件设备的单元片放置到半导体封装上以从放置的单元片装配集成电路所需的器件部件，以及将半导体封装中的放置单元片电互连以形成集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 单元 处理 | ||
【主权项】：
1. 一种包括元件的窝伏尔组件设备，该元件包括：在所述元件表面中的凹坑，所述元件包含材料以及尺寸和形状中的至少之一，与半导体晶片处理兼容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
