[发明专利]判断光刻系统的照射器的照射强度轮廓的装置及方法有效

专利信息
申请号: 200580013170.2 申请日: 2005-04-20
公开(公告)号: CN1997941A 公开(公告)日: 2007-07-11
发明(设计)人: C·A·斯彭斯;T·P·卢坎奇;L·卡波迪耶奇;J·赖斯;S·N·麦高恩 申请(专利权)人: 先进微装置公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 戈泊;程伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种产生照射器(14)的照射强度轮廓的系统(30)及方法,该照射器(14)形成投射光刻系统(10)的一部分。投射由该照射器产生的辐射至具有多个开孔(34)的照射轮廓掩膜(32)上,使得每个开孔都递送该辐射的特定部分。检测辐射的每个特定部分的强度,然后组合而形成照射强度轮廓。
搜索关键词: 判断 光刻 系统 照射 强度 轮廓 装置 方法
【主权项】:
1.一种判定投射光刻系统(10)照射强度轮廓的方法,该光刻系统(10)横跨于对应所期望晶片(12)曝光位置的平面,该方法包括:放置照射轮廓掩膜(32)于由照射器(14)定义的照射场中,该照射轮廓掩膜具有多个开孔(34),而且每个开孔都供由该照射器所输出的辐射特定部分穿过;放置传感器阵列(40)于该照射场中,以分别检测辐射的各特定部分;以及依据该传感器阵列的检测结果,建构该照射强度轮廓。
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