[发明专利]具有雪崩保护的高电流MOS器件及操作方法无效
| 申请号： | 200580013473.4 | 申请日： | 2005-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1947259A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 维什努·K·肯卡;阿米塔瓦·博斯;维贾伊·帕塔萨拉蒂;祝荣华 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 尤其在高电流应用中，在MOS晶体管(51)的漏区(74)中产生的碰撞离子化引起的电子－空穴对会导致寄生双极晶体管(38)破坏性地导通。空穴流经MOS晶体管(51)的具有本征电阻的体区(76)到达典型保持在较低电压例如地的源区(80)。空穴电流导致作为基区(42)的体区(76)电压上升。该上升的基区电压就是导致寄生双极晶体管(38)导通的原因。沟道电流经过源区(80)和体区(76)之间的阻抗(62)，作为发射区(44)的源区(80)和体区(76)之间的电压升高，可以大大减小上述可能性。当基区电压增高时，其导致发射区电压增高，从而阻止寄生双极晶体管(38)导通。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 雪崩 保护 电流 mos 器件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(50，51，53，55)，包括：衬底(72)；衬底(72)中的具有P型本底掺杂并具有顶表面的有源区；具有第一P级的P体区(76，100)；形成于P体区(76，100)的顶表面处并形成晶体管沟道的第一边界的N-型区(80，102)；与P体区(76，100)隔开并形成沟道的第二边界的N-漂移区(74)；和连接在P体区(76，100)和形成在P体区中的N-型区(80，102)之间的阻抗(62)。
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