[发明专利]切割·芯片接合兼用粘接片及使用了该粘接片的半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200580014869.0 | 申请日： | 2005-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101095215A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 福井靖树;山崎修;佐伯尚哉 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J163/00;H01L21/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于减低所谓的层叠型半导体装置在层叠时产生的对接合线的损伤，同时消除因粘接各半导体芯片的粘接剂层的厚度精度不佳而导致的半导体装置的高度的不均、从基板到最上层的半导体芯片的表面的高度的不均、以及最上层的半导体芯片的倾斜等。为了实现上述目的，本发明的切割·芯片接合兼用粘接片的特征在于，由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成，该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性，热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，使热固化前的粘接剂层保持在120℃的温度下时，其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 兼用 粘接片 使用 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.切割·芯片接合兼用粘接片，其特征在于，由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成，该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性，热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，使热固化前的粘接剂层保持在120℃的恒定温度时，其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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