[发明专利]有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物有效
| 申请号： | 200580015093.4 | 申请日： | 2005-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1957020A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 秋山将宏;中川恭志;山中达也;盐田淳;黑泽孝彦 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/50 | 分类号： | C08G77/50;C08G77/42;C08L83/14;C09D183/14;H01B3/46;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苗堃;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有－Si－O－Si－结构和－Si－CH2－Si－结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 二氧化硅 形成 布线 结构 半导体 装置 组合 | ||
【主权项】：
1、有机二氧化硅系膜的形成方法，其特征在于，包括在基材上形成包含具有-Si-O-Si-结构和-Si-CH2-Si-结构的硅化合物的涂膜的工序、加热所述涂膜的工序和对所述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。
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