[发明专利]用反相图案工艺形成凹陷结构的方法有效
| 申请号： | 200580016113.X | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101356303A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | S·V·斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 分子制模股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;H01L21/461 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张宜红 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了在基板上形成凹陷的方法，所述方法包括在基板上形成具有第一特征的图案化层，对第一特征结构进行修整蚀刻，形成经过修整后具有一定形状的特征，然后将所述形状反相转移到基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 相图 工艺 形成 凹陷 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.在表面上形成凹陷的方法，所述方法包括：在所述表面上形成具有特征的图案化层，该特征具有第一尺寸和形状；将所述形状反相转移到所述表面，该表面具有不同于所述第一尺寸的第二尺寸。
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